器件物理

课时目录

• 第一章 半导体物理学和半导体性质概要
  • 1.1 引言
  • 1.2 晶体结构
  • 1.3 能带和能隙
  • 1.4 载流子浓度和费米能级
  • 1.5 费米能级的计算
  • 1.6 漂移和迁移率
  • 1.7 电阻率和霍尔效应
  • 1.8 声子、光学和热特性
  • 1.9 异质结和纳米结构
  • 1.10 基本方程和实例
  • 1.11 声子、光学和热特性
  • 1.12 异质结和纳米结构
• 第二章 p-n结二极管
  • 2.1 耗尽区
  • 2.2 电流-电压特性
  • 2.3 瞬变特性与噪音
  • 2.4 端功能
  • 2.5 异质结
  • 2.6 异质结
• 第三章 金属-半导体接触
  • 3.1 势垒的形成
  • 3.2 耗尽层
  • 3.3 界面态
  • 3.4 电流输运过程
  • 3.5 热电子发射理论
  • 3.6 扩散理论
  • 3.7 隧穿电流
  • 3.8 势垒高度的测量
  • 3.9 器件结构
  • 3.10 势垒高度的测量-其他三种方法
  • 3.11 欧姆接触
• 第四章 金属-绝缘体-半导体电容
  • 4.7 氧化物电荷和功函数差
  • 4.1 理想MIS电容
  • 4.2 表面空间电荷区
  • 4.3 高频电容
  • 4.4 硅MOS电容
  • 4.5 载流子输运
  • 4.6 界面陷阱的测量
  • 4.7 氧化物电荷和功函数差
  • 4.8 非平衡态和雪崩
• 第五章 双极晶体管
  • 5.1 基本的电流-电压关系
  • 5.2 电流增益
  • 5.3 输出特性
  • 5.4 非理想效应
  • 5.5 微波特性
  • 5.6 小信号特性-开关特性
  • 5.7 器件几何形状和性能
  • 5.8 相关器件结构
  • 5.9 基本电路逻辑
  • 5.10 异质结双极晶体管
• 第六章 MOS场效应晶体管
  • 6.1 MOS基础
  • 6.2 器件的基本特性
  • 6.3 电流、电压特性
  • 6.4 阈值电压
  • 6.5 迁移率特性和温度关系
  • 6.6 非均匀掺杂和埋沟器件
  • 6.7 器件按比例缩小和短沟道效应
  • 6.8 漏致势垒降低
  • 6.9 MOSFET的结构-沟道参杂分布
  • 6.11 SOI和薄膜晶体管
  • 6.10 MOSFET的结构-肖特基源漏
  • 6.12 电路应用
  • 6.13 非挥发存储器
  • 6.14 浮栅器件和电荷俘获器件
  • 6.15 单电子晶体管
• 第七章 JFET，MESFET和MODFET器件
  • 7.1 JFET和MESFET概述
  • 7.2 I-V特性1
  • 7.3 I-V特性2
  • 7.4 任意参杂分布和增强模式
  • 7.5 微波特性
  • 7.6 MESFET器件结构
  • 7.7 MODFET基础及器件结构
  • 7.8 微波特性和现代器件结构
• 第八章 隧道器件
  • 8.1 隧道二极管
  • 8.2 相关隧道器件
  • 8.3 共振隧穿二极管
• 第九章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
  • 9.1 静态特性
  • 9.2 动态特性
  • 9.3 功率和效率
  • 9.4 噪声特性
  • 9.5 器件设计和性能
  • 9.6 BARITT二极管
• 第十章 转移电子器件和实空间转移器件
  • 10.1 转移电子效应
  • 10.2 畴的形成
  • 10.3 畴的工作模式
  • 10.4 实空间转移二极管
  • 10.5 实空间转移晶体管
• 第十一章 晶闸管和功率器件
  • 11.1 晶闸管的特性1
  • 11.2 晶闸管的特性2
  • 11.3 晶闸管的变种
  • 11.4 其他功率器件
• 第十二章 发光二极管和半导体激光器
  • 12.1 辐射跃迁
  • 12.2 发光二极管
  • 12.3 激光器物理
  • 12.4 激光器工作特性
  • 12.5 特种激光器
• 第十三章 光电探测器和太阳电池
  • 13.1 光电导
  • 13.2 光电二极管
  • 13.3 雪崩光电二极管
  • 13.4 光电晶体管
  • 13.5 电荷耦合器件
  • 13.6 太阳电池
• 第十四章 传感器
  • 14.1 传感器
• 动画