集成电路芯片制造技术

课时目录

• 第一章 集成电路芯片制造工艺概述
  • 1.1 集成电路概述
    • 1.1.1 集成电路的概念
    • 1.1.2 集成电路的分类
  • 1.2 制造工艺技术在集成电路发展中的作用
    • 1.2.1 集成电路发展简史
    • 1.2.2 集成电路的发展规律
    • 1.2.3 集成电路的发展展望
    • 1.2.4 硅微电子技术发展的几个趋势
    • 1.2.5 硅技术以外的半导体微电子技术发展方向
    • 1.2.6 集成电路发展面临的问题
  • 1.3 国内半导体工艺技术现状
  • 1.4 集成电路芯片工艺基本技术
    • 1.4.1 工艺制造中的核心步骤
    • 1.4.2 窗口、图形的确定与掩模板的作用
    • 1.4.3 主要工艺技术
• 第二章 氧化技术
  • 2.1 SiO2的结构、性质及用途
    • 2.1.1 SiO2的结构
    • 2.1.2 Si02的主要性质和作用
  • 2.2 SiO2的掩蔽作用
    • 2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式
    • 2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数
    • 2.2.3 SiO2掩蔽层厚度的确定
  • 2.3 高温氧化(热氧化)
  • 2.4 热氧化过程
  • 2.5 决定氧化速率常数的各种因素
    • 2.5.1 氧化剂分压的影响
    • 2.5.2 氧化温度的影响
    • 2.5.3 硅表面晶向的影响
    • 2.5.4 杂质的影响
  • 2.6 热氧化过程中杂质的再分布
    • 2.6.1 杂质的再分布
    • 2.6.2 再分布对硅表面杂质浓度的影响
• 第三章 扩散技术
  • 3.1 概述
  • 3.2 扩散机构
    • 3.2.1 间隙式扩散
    • 3.2.2 替位式扩散
  • 3.3 半导体中杂质原子扩散的浓度分布
  • 3.4 常用杂质的扩散方法
    • 3.4.1 硼扩散
    • 3.4.2 磷扩散
    • 3.4.3 砷扩散
    • 3.4.4 锑扩散
    • 3.4.5 金扩散
  • 3.5 杂质扩散后结深和方块电阻的测量
    • 3.5.1 结深的测量
    • 3.5.2 扩散层电阻
    • 3.5.3 方块电阻的测量
• 第四章 光刻技术
  • 4.1 概述
    • 4.1.1 光刻的基本要求
    • 4.1.2 光刻的工艺流程
  • 4.2 光刻胶及其特性
    • 4.2.1 光刻胶的类型及感光机理
    • 4.2.2 光刻胶的性能
  • 4.3 光刻技术
• 第五章 刻蚀
  • 5.1 VLSI对图形转移的要求和刻蚀方法
    • 5.1.1 VLSI对图形转移的要求
    • 5.1.2 刻蚀方法
  • 5.2 等离子刻蚀
    • 5.2.1 等离子体刻蚀原理
    • 5.2.2 等离子刻蚀装置
    • 5.2.3 等离子刻蚀的性能
  • 5.3 反应离子刻蚀(RIE)与离子束刻蚀
• 第六章 离子注入
  • 6.1 离子注入设备
  • 6.2 注入离子的浓度分布与退火
    • 6.2.1 注入离子浓度分布
    • 6.2.2 晶格损伤和退火
  • 6.3 离子注人的特点和应用
    • 6.3.1 离子注入的特点
    • 6.3.2 离子注入的应用
• 第七章 化学气相淀积
  • 7.1 化学气相淀积的化学过程及薄膜分类
    • 7.1.1 化学气相淀积的过程
    • 7.1.2 化学气相淀积的薄膜分类及工艺特点
  • 7.2 化学气相淀积生长动力学
    • 7.2.1 薄膜生长过程
    • 7.2.2 化学气相淀积模型
    • 7.2.3 衬底表面气体边界层厚度6(附面层)与HG的关系
  • 7.3 化学气相淀积系统
    • 7.3.1 APCVD工艺
    • 7.3.2 LPCVD工艺
• 第八章 金属化
  • 8.1 概述
    • 8.1.1 金属化工艺的作用
    • 8.1.2 集成电路对金属化系统的要求
    • 8.1.3 金属一半导体接触
  • 8.2 金属化薄膜的制备
    • 8.2.1 真空蒸发
    • 8.2.2 溅射
    • 8.2.3 其他淀积技术
  • 8.3 金属化互连技术
    • 8.3.1 金属化系统
    • 8.3.2 常用金属化系统及其特点
    • 8.3.3 金属化互连系统中的失效及改进措施
• 第九章 表面钝化
  • 9.1 概述
    • 9.1.1 介质膜(绝缘膜)的作用
    • 9.1.2 介质膜的一般要求
    • 9.1.3 介质膜的种类
  • 9.2 si-SiO2系统
    • 9.2.1 Si-SiO2系统中的电荷
    • 9.2.2 Si-si02系统中的电荷对器件性能的影响
    • 9.2.3 Si-SiO2结构性质的测试分析
  • 9.3 主要的钝化方法
    • 9.3.1 含氯氧化
    • 9.3.2 磷硅玻璃(PsG)和硼磷硅玻璃(BPSG)钝化
    • 9.3.3 氮化硅(Si3N)钝化膜
• 第十章 集成电路制造工艺流程
  • 10.1 概述
  • 10.2 集成电路制造工艺流程
• 习题
• 现场视频
• 讲义
• 实验报告